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Samsung MZ-V7P512 M.2 512 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe
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Samsung MZ-V7P512 M.2 512 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe

Samsung 970 PRO, 512 GB, M.2, 3500 MB/s

2P909880
Samsung
Nuevo
88 Artículos
229,02 €

Incluye 5,45 € del canon digital -según legislación vigente-.

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Samsung 970 PRO. SDD, capacidad: 512 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 3500 MB/s, Velocidad de escritura: 2300 MB/s, Componente para: PC
Factor de forma de disco SSDM.2
SDD, capacidad512 GB
InterfazPCI Express 3.0
Tipo de memoriaV-NAND MLC
NVMeSi
Componente paraPC
Velocidad de lectura3500 MB/s
Velocidad de escritura2300 MB/s
Tipo de flash NANDMLC (Multi Level Cell)
Versión NVMe1.3
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Tipo de controladorSamsung Phoenix
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Opal SSC 2.0Si
TCG Opal 2.0Si
Acorde RoHSSi
Voltaje de operación3,3 V
Consumo de energía (lectura)5,2 W
Consumo de energía (escritura)5,2 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)5 mW
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-45 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
Vibración no operativa20 G
Golpes en funcionamiento1500 G
Golpe (fuera de operación)1500 G
Ancho80,2 mm
Profundidad2,38 mm
Altura22,1 mm
Color del productoNegro
Fecha de lanzamiento4/16/2018

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Color del producto Negro
Componente para PC
Velocidad de lectura 3500 MB/s
Velocidad de escritura 2300 MB/s
Factor de forma de disco SSD M.2
Interfaz PCI Express 3.0
Acorde RoHS Si
Ancho 80,2 mm
Profundidad 2,38 mm
Altura 22,1 mm
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -45 - 85 °C
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Consumo de energía (lectura) 5,2 W
Consumo de energía (escritura) 5,2 W
Golpes en funcionamiento 1500 G
Golpe (fuera de operación) 1500 G
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Soporte S.M.A.R.T. Si
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento 5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje 5 - 95%
Tipo de memoria V-NAND MLC
Tipo de controlador Samsung Phoenix
Soporte TRIM Si
Vibración no operativa 20 G
Fecha de lanzamiento 4/16/2018
Tipo de flash NAND MLC (Multi Level Cell)
Voltaje de operación 3,3 V
Carriles datos de interfaz PCI Express x4
Opal SSC 2.0 Si
TCG Opal 2.0 Si
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5 mW
SDD, capacidad 512 GB
NVMe Si
Versión NVMe 1.3

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