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Samsung MZ-76E2T0 unidad de estado sólido 2.5" 2000 GB Serial ATA III MLC
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Samsung MZ-76E2T0 unidad de estado sólido 2.5" 2000 GB Serial ATA III MLC

Samsung MZ-76E2T0, 2000 GB, 2.5", 550 MB/s, 6 Gbit/s

2P889743
Samsung
Nuevo
133 Artículos
342,50 €

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Samsung MZ-76E2T0. SDD, capacidad: 2000 GB, Factor de forma de disco SSD: 2.5", Velocidad de lectura: 550 MB/s, Velocidad de escritura: 520 MB/s, Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s, Componente para: PC/ordenador portátil
Factor de forma de disco SSD2.5"
SDD, capacidad2000 GB
InterfazSerial ATA III
Tipo de memoriaMLC
Componente paraPC/ordenador portátil
Encriptación de hardwareSi
Velocidad de lectura550 MB/s
Velocidad de escritura520 MB/s
Tipo de flash NANDMLC (Multi Level Cell)
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Velocidad de transferencia de datos6 Gbit/s
Tipo de controladorSamsung MJX
Función DevSleepSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Consumo de energía (lectura)3 W
Consumo de energía (escritura)3 W
Consumo de energía (max)4 W
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-45 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
Vibración no operativa20 G
Golpes en funcionamiento1500 G
Golpe (fuera de operación)1500 G
Ancho100 mm
Profundidad6,8 mm
Altura69,8 mm
Peso60 g
Guía de configuración rápidaSi
Tipo de embalajeCaja
Color del productoNegro
Fecha de lanzamiento12/21/2017

Comprar Samsung MZ-76E2T0 unidad de estado sólido 2.5" 2000 GB Serial ATA III MLC

Color del producto Negro
Componente para PC/ordenador portátil
Disco de estado sólido, capacidad 2000 GB
Interfaces de disco de estado sólido Serial ATA III
Velocidad de lectura 550 MB/s
Velocidad de escritura 520 MB/s
Factor de forma de disco SSD 2.5"
Interfaz Serial ATA III
Peso 60 g
Velocidad de transferencia de datos 6 Gbit/s
Ancho 100 mm
Profundidad 6,8 mm
Altura 69,8 mm
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -45 - 85 °C
Guía de configuración rápida Si
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Consumo de energía (lectura) 3 W
Consumo de energía (escritura) 3 W
Golpes en funcionamiento 1500 G
Golpe (fuera de operación) 1500 G
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Soporte S.M.A.R.T. Si
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento 5 - 95%
Tipo de embalaje Caja
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje 5 - 95%
Tipo de memoria MLC
Tipo de controlador Samsung MJX
Soporte TRIM Si
Vibración no operativa 20 G
Fecha de lanzamiento 12/21/2017
Tipo de flash NAND MLC (Multi Level Cell)
Encriptación de hardware Si
Consumo de energía (max) 4 W
Función DevSleep Si
SDD, capacidad 2000 GB

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