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Kingston Technology KSM26RS8 8MEI módulo de memoria 8 GB DDR4 2666 MHz ECC
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Kingston Technology KSM26RS8/8MEI módulo de memoria 8 GB DDR4 2666 MHz ECC

Kingston Technology KSM26RS8/8MEI, 8 GB, 1 x 8 GB, DDR4, 2666 MHz, 288-pin DIMM

2P933425
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Kingston Technology KSM26RS8/8MEI. Componente para: PC/servidor, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM, Latencia CAS: 19, ECC
Memoria interna8 GB
Tipo de memoria internaDDR4
Velocidad de memoria del reloj2666 MHz
Componente paraPC/servidor
Forma de factor de memoria288-pin DIMM
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 8 GB
Tipo de memoria con búferRegistered (buffered)
ECCSi
Latencia CAS19
Clasificación de memoria1
Voltaje de memoria1.2 V
Configuración de módulos1024M x 72
Tiempo de ciclo de fila45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila350 ns
Tiempo activo en fila32 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP)2,5 V
Placa de plomoOro
Estándar JEDECSi
Acorde RoHSSi
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Ancho133,3 mm
Altura31,2 mm

Comprar Kingston Technology KSM26RS8/8MEI módulo de memoria 8 GB DDR4 2666 MHz ECC

Componente para PC/servidor
Memoria interna 8 GB
Tipo de memoria interna DDR4
Velocidad de memoria del reloj 2666 MHz
Forma de factor de memoria 288-pin DIMM
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 1 x 8 GB
Acorde RoHS Si
Ancho 133,3 mm
Altura 31,2 mm
Latencia CAS 19
Voltaje de memoria 1.2 V
ECC Si
Registrado Si
Placa de plomo Oro
Configuración de módulos 1024M x 72
Tiempo de ciclo de fila 45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 350 ns
Tiempo activo en fila 32 ns
Intervalo de temperatura operativa 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 - 100 °C
Clasificación de memoria 1
Programador de potencia de voltaje (VPP) 2,5 V
Estándar JEDEC Si
Buffered memory type Registered (buffered)
Tipo de memoria con búfer Registered (buffered)

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